Продукція > NEXPERIA > PBHV8540T-QR
PBHV8540T-QR

PBHV8540T-QR Nexperia


PBHV8540T-Q.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat transistor
на замовлення 7188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.88 грн
12+30.99 грн
100+18.11 грн
500+13.07 грн
1000+11.73 грн
3000+10.02 грн
6000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8540T-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBHV8540T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBHV8540T-QR Виробник : NEXPERIA pbhv8540t-q.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8540T-QR Виробник : NEXPERIA PBHV8540T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 300mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...200
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8540T-QR PBHV8540T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBHV8540T-Q.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8540T-QR Виробник : NEXPERIA PBHV8540T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 300mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...200
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.