PBHV8550XF Nexperia USA Inc.


PBHV8550X.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 500V 0.15A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 520 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.48 грн
11+29.84 грн
100+19.15 грн
500+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8550XF Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SC-62, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 35MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PBHV8550XF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV8550XF PBHV8550XF Nexperia PBHV8550X.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV8550X/SOT89/MPT3
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550XF NEXPERIA PBHV8550X.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550XF NEXPERIA PBHV8550X.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF NEXPERIA PBHV8550X.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550X.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV8550X/SOT89/MPT3
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550X.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550X.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8550XF PBHV8550X.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1422 шт
В кошику  од. на суму  грн.