Продукція > NEXPERIA > PBHV9050T-QR

PBHV9050T-QR NEXPERIA


3795393.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9050T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV9050T-QR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBHV9050T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PBHV9050T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV9050T-QR PBHV9050T-QR NEXPERIA 3795393.pdf Description: NEXPERIA - PBHV9050T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9050T-QR 3795393.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9050T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.