PBHV9115T-QVL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.04 грн |
| 12+ | 26.62 грн |
| 100+ | 17.00 грн |
| 500+ | 12.05 грн |
| 1000+ | 10.79 грн |
| 2000+ | 9.73 грн |
| 5000+ | 8.44 грн |
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Технічний опис PBHV9115T-QVL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBHV9115T-QVL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PBHV9115T-QVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PBHV9115T-QVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PBHV9115T-QVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBHV9115T-QVL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB
Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBHV9115T-QVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBHV9115T-QVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




