PBHV9115X,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT89
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 115MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.74 грн |
| 10+ | 32.84 грн |
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Технічний опис PBHV9115X,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBHV9115X,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PBHV9115X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PBHV9115X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBHV9115X,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBHV9115X,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)