Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBHV9115Z,115
PBHV9115Z,115

PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.

PBHV9115Z.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+16.90 грн
2000+14.77 грн
3000+14.00 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PBHV9115Z,115 за ціною від 16.95 грн до 60.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV9115Z.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.81 грн
10+36.47 грн
100+23.62 грн
500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 Nexperia PBHV9115Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVO LT VCE BJT
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z.pdf
PBHV9115Z,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.81 грн
10+36.47 грн
100+23.62 грн
500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z.pdf
PBHV9115Z,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVO LT VCE BJT
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9115Z,115 NEXP-S-A0002881085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV9115Z,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.