Продукція > NXP > PBLS2002S,115
PBLS2002S,115

PBLS2002S,115 NXP


PHGLS19106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - PBLS2002S,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3205+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3205
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBLS2002S,115 NXP

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 1.5W, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції PBLS2002S,115 за ціною від 11.36 грн до 11.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBLS2002S,115 Виробник : NXP Semiconductors PBLS2002S.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/20V 100mA/3A Automotive 8-Pin SO T/R
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2738+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2738
В кошику  од. на суму  грн.
PBLS2002S,115 PBLS2002S,115 Виробник : NXP USA Inc. PBLS2002S.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.