PBLS6003D,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 185MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBLS6003D,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBLS6003D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 A, 600 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 600mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 600mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBLS6003D,115 за ціною від 7.69 грн до 50.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBLS6003D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A/1A 600mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PBLS6003D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS6003D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 A, 600 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 600mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBLS6003D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 700mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 185MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBLS6003D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS6003D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 A, 600 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 600mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PBLS6003D,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PBLS6003D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.6W; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 185MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.6W |
товару немає в наявності |