Продукція > NEXPERIA > PBRN113ET-QR

PBRN113ET-QR NEXPERIA


PBRN113ET-Q.pdf Виробник: NEXPERIA
PBRN113ET-QR NPN SMD transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBRN113ET-QR NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 800mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBRN113ET-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBRN113ET-QR PBRN113ET-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBRN113ET-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 800mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ET-QR PBRN113ET-QR Виробник : Nexperia PBRN113ET-Q.pdf Digital Transistors PBRN113ET-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.