PBRN113ZT,215

PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.


PBRN113ZT.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.28 грн
6000+3.70 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRN113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBRN113ZT,215 за ціною від 2.60 грн до 23.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBRN113ZT,215 PBRN113ZT,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRN113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.15 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ZT,215 PBRN113ZT,215 Виробник : Nexperia PBRN113ZT.pdf Digital Transistors PBRN113ZT/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.36 грн
28+12.85 грн
100+5.05 грн
1000+4.52 грн
3000+3.44 грн
24000+2.83 грн
45000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ZT,215 PBRN113ZT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBRN113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
27+12.12 грн
100+7.60 грн
500+5.25 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ZT,215 PBRN113ZT,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRN113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+23.70 грн
61+14.25 грн
100+8.93 грн
500+6.15 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ZT,215 PBRN113ZT,215 Виробник : NEXPERIA pbrn113z_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 700mA 570mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBRN113ZT,215 Виробник : NEXPERIA PBRN113ZT.pdf PBRN113ZT.215 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.