PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.48 грн |
| 6000+ | 3.88 грн |
| 9000+ | 3.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRN113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBRN113ZT,215 за ціною від 2.50 грн до 23.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBRN113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRN113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBRN113ZT,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PBRN113ZT/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 11153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBRN113ZT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 11593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBRN113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRN113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBRN113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 40V 700mA 570mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBRN113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 40V; 0.7A; 370mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...750 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBRN113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 40V; 0.7A; 370mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...750 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |