Технічний опис PBRP113ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBRP113ET,215 за ціною від 4.74 грн до 21.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBRP113ET,215 | Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | Nexperia |
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PBRP113ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PBRP113ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBRP113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.91 грн |
| PBRP113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.75 грн |
| 25+ | 12.41 грн |
| 100+ | 7.76 грн |
| 500+ | 5.36 грн |
| 1000+ | 4.74 грн |
| PBRP113ET,215 |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBRP113ET,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBRP113ET,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)