PBSS302ND-QH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PBSS302ND-Q/SOT457/SC-74
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS302ND-QH Nexperia USA Inc.
Description: PBSS302ND-Q/SOT457/SC-74, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PBSS302ND-QH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS302ND-QH | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 40 V, 4 A NPN low VCEsat transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS302ND-QH |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 40 V, 4 A NPN low VCEsat transistor
Bipolar Transistors - BJT 40 V, 4 A NPN low VCEsat transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.