на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 13.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS302NX,115 Nexperia
Description: TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2.1 W, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS302NX,115 за ціною від 13.94 грн до 73.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS302NX,115 | Виробник : Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT PBSS302NX/SOT89/MPT3 |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS302NX,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2.1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS302NX,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PBSS302NX,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS302NX,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PBSS302NX,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS302NX,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS302NX,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5.3A; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 200...570 Collector current: 5.3A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS302NX,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS302NX,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5.3A; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 200...570 Collector current: 5.3A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |