Технічний опис PBSS3515M,315 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS3515M,315 за ціною від 3.30 грн до 32.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS3515M,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 430 mW |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 350000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 17190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
PBSS3515M,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PBSS3515M,315 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5900+ | 3.30 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.78 грн |
| 20000+ | 3.75 грн |
| 50000+ | 3.71 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2865+ | 3.81 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3668+ | 3.83 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.59 грн |
| 20000+ | 4.50 грн |
| 30000+ | 4.45 грн |
| 50000+ | 3.61 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 32.74 грн |
| 32+ | 24.08 грн |
| 100+ | 13.48 грн |
| 500+ | 8.66 грн |
| 1000+ | 6.33 грн |
| 1865+ | 6.02 грн |
| 2500+ | 5.53 грн |
| 5000+ | 4.81 грн |
| 10000+ | 4.42 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3402+ | 10.33 грн |
| 10000+ | 9.22 грн |







