| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.83 грн |
| 20000+ | 3.80 грн |
| 50000+ | 3.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS3515M,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS3515M,315 за ціною від 3.66 грн до 11.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 17190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883 |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PBSS3515M,315 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
PBSS3515M,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
PBSS3515M,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| PBSS3515M,315 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2865+ | 3.86 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3668+ | 3.88 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.65 грн |
| 20000+ | 4.56 грн |
| 30000+ | 4.51 грн |
| 50000+ | 3.66 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 6.85 грн |
| 1865+ | 6.79 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1865+ | 11.61 грн |
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS3515M,315 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3402+ | 10.47 грн |
| 10000+ | 9.34 грн |






