на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 662+ | 46.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4032SP,115 Nexperia
Description: TRANS 2PNP DUAL 30V 4.8A 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2.3W, Current - Collector (Ic) (Max): 4.8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 115MHz, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції PBSS4032SP,115 за ціною від 46.11 грн до 46.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS4032SP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
PBSS4032SP,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz |
на замовлення 1624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
PBSS4032SP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP DUAL 30V 4.8A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 4.8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
PBSS4032SP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP DUAL 30V 4.8A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 4.8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |