Продукція > NEXPERIA > PBSS4112PANP,115

PBSS4112PANP,115 Nexperia


1499940859761502pbss4112panp.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4112PANP,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PBSS4112PANP,115 за ціною від 14.51 грн до 19.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP,115 Nexperia 1499940859761502pbss4112panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP,115 Nexperia 1499940859761502pbss4112panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP,115 Nexperia PBSS4112PANP.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 120V
на замовлення 8367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0001056969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0001056969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 1499940859761502pbss4112panp.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 1499940859761502pbss4112panp.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
725+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 PBSS4112PANP.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 120V
на замовлення 8367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 NEXP-S-A0001056969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4112PANP,115 NEXP-S-A0001056969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.