PBSS4112PANP,115 Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4112PANP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS4112PANP,115 за ціною від 11.70 грн до 61.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4112PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4112PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4112PANP/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 21134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4112PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4112PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |