PBSS4120T,215 Nexperia
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3410+ | 3.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4120T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS4120T,215 за ціною від 3.85 грн до 38.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 20V 1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4120T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS4120T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Виробник : NXP |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 PBSS4120T TPBSS4120Tкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Виробник : NXP |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 PBSS4120T TPBSS4120Tкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 20V 1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
PBSS4120T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W Collector current: 1A Pulsed collector current: 3A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 420...470 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |




