Продукція > NEXPERIA > PBSS4130PAN,115
PBSS4130PAN,115

PBSS4130PAN,115 Nexperia


805352853081254pbss4130pan.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4130PAN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4130PAN,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 1 A, 2 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 2W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS4130PAN,115 за ціною від 8.93 грн до 55.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4130PAN.pdf Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.26 грн
6000+10.81 грн
9000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2072+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 2072
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.60 грн
55+11.05 грн
68+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003560442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4130PAN,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 1 A, 2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.29 грн
26+32.22 грн
100+22.51 грн
500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia PBSS4130PAN.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.13 грн
11+31.83 грн
100+18.80 грн
250+18.72 грн
500+14.92 грн
1000+13.58 грн
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4130PAN.pdf Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 14242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.68 грн
10+33.26 грн
100+21.48 грн
500+15.39 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : NEXPERIA 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PAN,115 PBSS4130PAN,115 Виробник : Nexperia 805352853081254pbss4130pan.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.