PBSS4130PANP,115 Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2072+ | 14.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4130PANP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS4130PANP,115 за ціною від 13.35 грн до 109.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4130PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 WtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS4130PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V |
на замовлення 6342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS4130PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PBSS4130PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PBSS4130PANP,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 30914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PBSS4130PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Transistors - Unclassified Description: PBSS4130PANP,115 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
PBSS4130PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PBSS4130PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |