PBSS4130PANP,115

PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc.


PBSS4130PANP.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS4130PANP,115 за ціною від 11.38 грн до 54.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.78 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.79 грн
25+34.00 грн
100+24.78 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Виробник : Nexperia PBSS4130PANP.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.03 грн
11+32.24 грн
100+21.43 грн
250+20.48 грн
500+16.73 грн
1000+13.72 грн
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4130PANP.pdf Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+32.72 грн
100+21.14 грн
500+15.14 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4130PANP,115 PBSS4130PANP,115 Виробник : NEXPERIA 1503621625101820pbss4130panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.