Продукція > NEXPERIA > PBSS4160DS,115
PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115 Nexperia

pbss4160ds.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4160DS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 420mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS4160DS,115 за ціною від 5.88 грн до 37.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4173+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 4173
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
921+8.20 грн
1000+7.80 грн
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 921
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1402+8.70 грн
1550+7.87 грн
1563+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1382+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 1382
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002910085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.44 грн
500+9.53 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002910085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.05 грн
43+19.78 грн
100+13.44 грн
500+9.53 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia PBSS4160DS.pdf Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor
на замовлення 22619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.60 грн
19+18.91 грн
100+11.09 грн
500+8.71 грн
1000+8.04 грн
3000+6.47 грн
6000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4160DS.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.83 грн
14+22.71 грн
100+14.42 грн
500+10.18 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : NEXPERIA 1745039838317786pbss4160ds.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160DS,115 PBSS4160DS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4160DS.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.