Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160DS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 420mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A.
Інші пропозиції PBSS4160DS,115 за ціною від 8.99 грн до 38.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A 6-TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 420mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/NPN SOT 457 60V |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PBSS4160DS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.99 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 963+ | 9.39 грн |
| 1000+ | 9.23 грн |
| 3000+ | 9.09 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1496+ | 9.39 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 9.88 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 9.89 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1798+ | 19.54 грн |
| 10000+ | 17.42 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 625+ | 22.48 грн |
| 926+ | 15.17 грн |
| 1000+ | 14.05 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS 2NPN DUAL 60V 1A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.49 грн |
| 13+ | 22.90 грн |
| 100+ | 14.57 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| 1000+ | 9.20 грн |
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/NPN SOT 457 60V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/NPN SOT 457 60V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4160DS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






