PBSS4160PANP,115 NEXPERIA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 12.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160PANP,115 NEXPERIA
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS4160PANP,115 за ціною від 13.86 грн до 60.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 60V |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| PBSS4160PANP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; DFN2020-6,HUSON6 Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: DFN2020-6; HUSON6 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 175MHz Power dissipation: 2W Semiconductor structure: double |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PBSS4160PANP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |