Продукція > NEXPERIA > PBSS4160PANP-QX
PBSS4160PANP-QX

PBSS4160PANP-QX Nexperia


Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT
на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.72 грн
10+38.62 грн
100+22.09 грн
500+17.40 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4160PANP-QX Nexperia

Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS4160PANP-QX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4160PANP-QX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.