на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.30 грн |
| 10+ | 35.28 грн |
| 100+ | 21.36 грн |
| 500+ | 16.66 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| 3000+ | 12.26 грн |
| 6000+ | 11.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160PANP-QX Nexperia
Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PBSS4160PANP-QX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PBSS4160PANP-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |