PBSS4160PANSX Nexperia
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2170+ | 14.10 грн |
| 10000+ | 12.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160PANSX Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS4160PANSX за ціною від 11.09 грн до 55.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS4160PANSX | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 6843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4160PANSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4160PANSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4160PANSX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4160PANSX | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4160PANSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PBSS4160PANSX | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 60V; 1A; DFN2020D-6,SOT1118D Mounting: SMD Frequency: 175MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DFN2020D-6; SOT1118D кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
PBSS4160PANSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4160PANSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PBSS4160PANSX | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 60V; 1A; DFN2020D-6,SOT1118D Mounting: SMD Frequency: 175MHz Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DFN2020D-6; SOT1118D |
товару немає в наявності |