Продукція > NEXPERIA > PBSS4160QAZ
PBSS4160QAZ

PBSS4160QAZ Nexperia

806008463744706pbss4160qa.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4160QAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PBSS4160QAZ за ціною від 6.33 грн до 39.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ Nexperia 806008463744706pbss4160qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ Nexperia 806008463744706pbss4160qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4280+8.20 грн
10000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 4280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ NXP Semiconductors 806008463744706pbss4160qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
100000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ NXP Semiconductors 806008463744706pbss4160qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ NXP Semiconductors 806008463744706pbss4160qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
100000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4160QA.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.26 грн
13+22.90 грн
50+16.54 грн
100+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ Nexperia PBSS4160QA.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ 806008463744706pbss4160qa.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ 806008463744706pbss4160qa.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4280+8.20 грн
10000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 4280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ 806008463744706pbss4160qa.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
100000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ 806008463744706pbss4160qa.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ 806008463744706pbss4160qa.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2195+16.01 грн
10000+14.27 грн
100000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QA.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.26 грн
13+22.90 грн
50+16.54 грн
100+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QA.pdf
PBSS4160QAZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.