PBSS4160QAZ Nexperia


PBSS4160QA.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
на замовлення 2393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.15 грн
17+20.06 грн
100+11.04 грн
500+8.30 грн
1000+6.68 грн
2500+6.61 грн
5000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4160QAZ Nexperia

Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PBSS4160QAZ за ціною від 13.96 грн до 40.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4160QAZ PBSS4160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4160QA.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+23.54 грн
50+17.00 грн
100+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160QAZ PBSS4160QA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.35 грн
13+23.54 грн
50+17.00 грн
100+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.