Технічний опис PBSS4230PANP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS4230PANP,115 за ціною від 14.40 грн до 56.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS4230PANP,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 982+ | 14.44 грн |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1812+ | 19.56 грн |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.69 грн |
| 10+ | 34.33 грн |
| 100+ | 22.20 грн |
| 500+ | 15.97 грн |
| 1000+ | 14.40 грн |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 857+ | 41.35 грн |
| 1000+ | 38.14 грн |
| 10000+ | 34.01 грн |