PBSS4230PANP,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4230PANP,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS4230PANP,115 за ціною від 14.53 грн до 91.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.22 грн |
| 10+ | 34.64 грн |
| 100+ | 22.41 грн |
| 500+ | 16.12 грн |
| 1000+ | 14.53 грн |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 510W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.04 грн |
| 15+ | 56.74 грн |
| 100+ | 36.74 грн |
| PBSS4230PANP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)