PBSS4230QAZ Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4006+ | 8.85 грн |
| 10000+ | 7.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4230QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS4230QAZ за ціною від 7.88 грн до 8.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4230QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PBSS4230QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PBSS4230QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PBSS4230QAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
PBSS4230QAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4230QAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4006+ | 8.85 грн |
| 10000+ | 7.88 грн |
| PBSS4230QAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4006+ | 8.85 грн |
| PBSS4230QAZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4006+ | 8.85 грн |
| PBSS4230QAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4230QAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




