PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Power - Max: 370mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
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Технічний опис PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 510mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A.
Інші пропозиції PBSS4260PANPSX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PBSS4260PANPSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 510mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PBSS4260PANPSX | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4260PANPS/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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PBSS4260PANPSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 510mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4260PANPSX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung, PNP: 510mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4260PANPSX |
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Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4260PANPS/SOT1118/HUSON6
Bipolar Transistors - BJT PBSS4260PANPS/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS4260PANPSX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
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Verlustleistung, PNP: 510mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)