PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1764+ | 11.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A.
Інші пропозиції PBSS4260PANPSX за ціною від 10.56 грн до 48.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4260PANPSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANPSX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4260PANPS/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANPSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4260PANPSX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 2 A, 2 A, 510 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANPSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 2A 960mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANPSX | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 2A 960mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANPSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANPSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |