на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1081+ | 11.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4260PANSX Nexperia
Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: DFN2020D-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PBSS4260PANSX за ціною від 9.10 грн до 64.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
60 V, 2 A NPN/NPN Low Vcesat (Biss) Double Transistor Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1118 60V |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS4260PANSX | Виробник : NEXPERIA |
60 V, 2 A NPN/NPN Low Vcesat (Biss) Double Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4260PANSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |