на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 37.87 грн |
| 13+ | 27.26 грн |
| 100+ | 14.72 грн |
| 500+ | 10.19 грн |
| 1000+ | 8.38 грн |
| 2500+ | 7.47 грн |
| 5000+ | 6.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4260QAZ Nexperia
Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS4260QAZ за ціною від 6.92 грн до 38.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| PBSS4260QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PBSS4260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PBSS4260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PBSS4260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PBSS4260QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
PBSS4260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |