PBSS4310PAS-QX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 560mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.40 грн |
| 104+ | 8.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4310PAS-QX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 560mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: DFN2020D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS4310PAS-QX за ціною від 6.83 грн до 39.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS4310PAS-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4310PAS-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Power - Max: 560 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4310PAS-QX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 20 V NPN low VCEsat transistor |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4310PAS-QX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 10V 3A 1540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4310PAS-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Power - Max: 560 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |