Технічний опис PBSS4330PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-1061, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 210MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PBSS4330PA,115 за ціною від 98.58 грн до 98.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4330PA,115 | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 30V 3A 3HUSONPackaging: Bulk Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PBSS4330PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 210MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
 |
PBSS4330PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4330PA,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 3A 3HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS NPN 30V 3A 3HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 98.58 грн |
| PBSS4330PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS4330PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)