PBSS4350PAS-QX Nexperia USA Inc.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4350PAS-QX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS4350PAS-QX за ціною від 10.35 грн до 45.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4350PAS-QX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4350PAS-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4350PAS-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4350PAS-QX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4350PAS-QX | Виробник : Nexperia |
PNP Low Transistor Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4350PAS-QX | Виробник : Nexperia |
PNP Low Transistor Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |