Продукція > NEXPERIA > PBSS4350SS,115

PBSS4350SS,115 Nexperia


PBSS4350SS-1599633.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350SS,115 Nexperia

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 2.7A 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 2.7A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції PBSS4350SS,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS,115 Nexperia USA Inc. PBSS4350SS.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 2.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 2.7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS,115 NXP USA Inc. PBSS4350SS.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS,115 NEXPERIA 1624748.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350SS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 2.7 A, 2 W, 120 hFE, SOIC
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 2.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS,115 Nexperia pbss4350ss.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 2.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 2.7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 PBSS4350SS.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 1624748.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4350SS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 2.7 A, 2 W, 120 hFE, SOIC
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 2.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350SS,115 pbss4350ss.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.