Продукція > NEXPERIA > PBSS4350T,215
PBSS4350T,215

PBSS4350T,215 Nexperia

pbss4350t.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2758+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 2758
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PBSS4350T,215 за ціною від 5.10 грн до 13.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.59 грн
6000+7.11 грн
9000+6.74 грн
15000+6.08 грн
21000+5.40 грн
30000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NXP Semiconductors 1512849041194873pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2458+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 2458
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA 2945043.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA 2945043.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia PBSS4350T.pdf TRANS NPN 50V 2A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia PBSS4350T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA PBSS4350T.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.