Продукція > NEXPERIA > PBSS4350T-QR
PBSS4350T-QR

PBSS4350T-QR NEXPERIA


PBSS4350T-Q.pdf Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.54 грн
25+18.70 грн
100+14.02 грн
129+6.97 грн
355+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350T-QR NEXPERIA

Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS4350T-QR за ціною від 7.63 грн до 36.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4350T-QR PBSS4350T-QR Виробник : NEXPERIA PBSS4350T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
25+23.30 грн
100+16.83 грн
129+8.37 грн
355+7.91 грн
30000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T-QR Виробник : NEXPERIA pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T-QR PBSS4350T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T-Q.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350T-QR PBSS4350T-QR Виробник : Nexperia PBSS4350T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.