Продукція > NEXPERIA > PBSS4350T-QR
PBSS4350T-QR

PBSS4350T-QR Nexperia

PBSS4350T-Q.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.77 грн
15+21.77 грн
50+13.72 грн
100+11.94 грн
1000+8.57 грн
3000+5.28 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350T-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS4350T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4350T-QR PBSS4350T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T-Q.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.