PBSS4350T-QVL Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2341+ | 15.11 грн |
| 10000+ | 13.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4350T-QVL Nexperia
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції PBSS4350T-QVL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4350T-QVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS4350T-QVL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




