PBSS4350TVL NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4350TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.14 грн |
| 1000+ | 5.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4350TVL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4350TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS4350TVL за ціною від 5.21 грн до 31.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4350TVL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V |
на замовлення 9967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4350TVL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4350TVL | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS4350TVL | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 5A Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4350TVL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS4350TVL | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4350TVL | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 5A Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape |
товару немає в наявності |