Продукція > NEXPERIA > PBSS4350Z-QF

PBSS4350Z-QF NEXPERIA


Виробник: NEXPERIA
PBSS4350Z-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350Z-QF NEXPERIA

Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.35 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS4350Z-QF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS4350Z-QF PBSS4350Z-QF Виробник : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4350Z-QF PBSS4350Z-QF Виробник : Nexperia Bipolar Transistors - BJT PBSS4350Z-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.