Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBSS5112PAP,115
PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.

PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 593 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PBSS5112PAP,115 за ціною від 35.51 грн до 43.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003560171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.20 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 14792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.20 грн
1000+39.83 грн
10000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PBSS5112PAP,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NEXP-S-A0003560171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5112PAP,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.20 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 14792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.20 грн
1000+39.83 грн
10000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.