Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBSS5112PAP,115
PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.

PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PBSS5112PAP,115 за ціною від 35.35 грн до 43.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia 1500018887075324pbss5112pap.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia 1500018887075324pbss5112pap.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003560171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 14792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 1500018887075324pbss5112pap.pdf
PBSS5112PAP,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 1500018887075324pbss5112pap.pdf
PBSS5112PAP,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PBSS5112PAP,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 NEXP-S-A0003560171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5112PAP,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 14792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
824+43.01 грн
1000+39.65 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 824 шт
В кошику  од. на суму  грн.