Технічний опис PBSS5130PAP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 2W, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.
Інші пропозиції PBSS5130PAP,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PBSS5130PAP,115 | Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PBSS5130PAP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 2W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5130PAP,115 |
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Виробник: Nexperia
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| PBSS5130PAP,115 |
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 2W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
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