Технічний опис PBSS5130QAZ Nexperia
Description: TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 325 mW.
Інші пропозиції PBSS5130QAZ за ціною від 5.66 грн до 5.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5130QAZ | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PBSS5130QAZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5130QAZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6264+ | 5.66 грн |
| PBSS5130QAZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)