Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PBSS5160QAZ
PBSS5160QAZ

PBSS5160QAZ NXP Semiconductors

805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1972+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 1972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5160QAZ NXP Semiconductors

Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PBSS5160QAZ за ціною від 6.70 грн до 51.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5160QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.35 грн
15+20.80 грн
100+13.14 грн
500+9.23 грн
1000+8.23 грн
2000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia PBSS5160QA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.16 грн
10+34.77 грн
100+19.13 грн
500+11.87 грн
1000+8.80 грн
2500+7.82 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160QAZ PBSS5160QA.pdf
PBSS5160QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.35 грн
15+20.80 грн
100+13.14 грн
500+9.23 грн
1000+8.23 грн
2000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160QAZ PBSS5160QA.pdf
PBSS5160QAZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.16 грн
10+34.77 грн
100+19.13 грн
500+11.87 грн
1000+8.80 грн
2500+7.82 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.