Продукція > NEXPERIA > PBSS5160T-QR

PBSS5160T-QR Nexperia


pbss5160t-q.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9524+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 9524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5160T-QR Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB, Power - Max: 270 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PBSS5160T-QR за ціною від 3.72 грн до 19.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5160T-QR PBSS5160T-QR Nexperia pbss5160t-q.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9524+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 9524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160T-QR PBSS5160T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5160T-Q.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB
Power - Max: 270 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.67 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160T-QR PBSS5160T-QR Nexperia PBSS5160T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160T-QR pbss5160t-q.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9524+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 9524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160T-QR PBSS5160T-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB
Power - Max: 270 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
26+11.67 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160T-QR PBSS5160T-Q.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.