PBSS5160T-QR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB
Power - Max: 270 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.60 грн |
| 26+ | 11.77 грн |
| 100+ | 7.37 грн |
| 500+ | 5.10 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5160T-QR Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB, Power - Max: 270 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PBSS5160T-QR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5160T-QR | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5160T-QR |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)