PBSS5160T-QR Nexperia
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9524+ | 3.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5160T-QR Nexperia
Description: PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 270 mW.
Інші пропозиції PBSS5160T-QR за ціною від 3.20 грн до 31.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5160T-QR | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5160T-QR | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP low VCEsat transistor |
на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5160T-QR | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS5160T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.25W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS5160T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS5160T-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 270 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5160T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.25W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |