Продукція > NEXPERIA > PBSS5160TVL
PBSS5160TVL

PBSS5160TVL NEXPERIA

PBSS5160T.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+11.6 грн
74+ 10.11 грн
100+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 65
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5160TVL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PBSS5160TVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS5160TVL PBSS5160TVL Виробник : NEXPERIA PBSS5160T.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 270mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PBSS5160TVL PBSS5160TVL Виробник : Nexperia pbss5160t.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PBSS5160TVL PBSS5160TVL Виробник : NEXPERIA 2422352998535119pbss5160t.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23
товар відсутній
PBSS5160TVL PBSS5160TVL Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5160T.pdf Description: PBSS5160T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
товар відсутній
PBSS5160TVL PBSS5160TVL Виробник : Nexperia PBSS5160T-1578901.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160T/SOT23/TO-236AB
товар відсутній