Продукція > NEXPERIA > PBSS5160V,115
PBSS5160V,115

PBSS5160V,115 Nexperia

PBSS5160V-1578933.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PBSS5160V/SOT666/SOT6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5160V,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції PBSS5160V,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5160V,115 PBSS5160V,115 Nexperia USA Inc. PBSS5160V.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 NEXPERIA PBSS5160V.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: SOT666
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 220MHz
Current gain: 100...350
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 PBSS5160V,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 Nexperia PBSS5160V.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 PBSS5160V.pdf
PBSS5160V,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 PBSS5160V.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: SOT666
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 220MHz
Current gain: 100...350
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 NEXP-S-A0002882165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5160V,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5160V,115 PBSS5160V.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.