PBSS5220T-QR NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.14 грн |
| 500+ | 10.07 грн |
| 1000+ | 8.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5220T-QR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5220T-QR за ціною від 8.12 грн до 39.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5220T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5220T-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5220T-QR | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PBSS5220T-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PBSS5220T-QR | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor |
товару немає в наявності |