Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBSS5220T-QR
PBSS5220T-QR

PBSS5220T-QR Nexperia USA Inc.

PBSS5220T-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5220T-QR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS5220T-QR за ціною від 8.27 грн до 35.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5220T-QR PBSS5220T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5220T-Q.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+20.79 грн
100+13.18 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR PBSS5220T-QR Nexperia PBSS5220T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5220T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR PBSS5220T-QR NEXPERIA 3671527.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR PBSS5220T-QR NEXPERIA 3671527.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR PBSS5220T-Q.pdf
PBSS5220T-QR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
15+20.79 грн
100+13.18 грн
500+9.27 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR PBSS5220T-Q.pdf
PBSS5220T-QR
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5220T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR 3671527.pdf
PBSS5220T-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220T-QR 3671527.pdf
PBSS5220T-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.