PBSS5230PAP,115 Nexperia
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2122+ | 14.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5230PAP,115 Nexperia
Description: TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 95MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS5230PAP,115 за ціною від 13.32 грн до 63.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5230PAP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5230PAP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5230PAP,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5230PAP/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5230PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 200mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PBSS5230PAP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 200mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5230PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |