Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PBSS5230QAZ
PBSS5230QAZ

PBSS5230QAZ NXP Semiconductors

PBSS5230QA.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 554308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4691+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 4691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5230QAZ NXP Semiconductors

Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 325 mW.

Інші пропозиції PBSS5230QAZ за ціною від 5.49 грн до 33.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5230QAZ PBSS5230QAZ Nexperia 805021720869833pbss5230qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 79735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5737+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 5737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5230QA.pdf Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.59 грн
100+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QAZ Nexperia PBSS5230QA-1320538.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2A PNP low VCE sat (BISS) transi
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ NXP Semiconductors PBSS5230QA.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 234308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ NXP Semiconductors PBSS5230QA.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ NXP Semiconductors PBSS5230QA.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ 805021720869833pbss5230qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf
PBSS5230QAZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 79735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5737+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 5737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QA.pdf
PBSS5230QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.40 грн
16+19.59 грн
100+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QA-1320538.pdf
PBSS5230QAZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2A PNP low VCE sat (BISS) transi
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QA.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 234308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QA.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5230QAZ PBSS5230QA.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4816+7.36 грн
10000+6.56 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4816 шт
В кошику  од. на суму  грн.