PBSS5230QAZ NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 554308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4691+ | 4.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5230QAZ NXP Semiconductors
Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 325 mW.
Інші пропозиції PBSS5230QAZ за ціною від 5.31 грн до 34.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5230QAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 79735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PBSS5230QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PBSS5230QAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2A PNP low VCE sat (BISS) transi |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| PBSS5230QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PBSS5230QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PBSS5230QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 234308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
PBSS5230QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW |
товару немає в наявності |