PBSS5230T,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 9.22 грн |
| 1000+ | 7.23 грн |
| 5000+ | 6.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5230T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5230T,215 за ціною від 6.20 грн до 36.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V |
на замовлення 6921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
PBSS5230T.215 PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |