
PBSS5230T,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 13.83 грн |
500+ | 8.94 грн |
1000+ | 7.01 грн |
5000+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5230T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5230T,215 за ціною від 5.36 грн до 34.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 200MHz Current gain: 100...450 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 200MHz Current gain: 100...450 |
товару немає в наявності |