Технічний опис PBSS5240T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5240T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS5240T,215 за ціною від 4.91 грн до 31.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS5240T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS5240T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS5240T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 744781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS5240T,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 380mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: PNP Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 200MHz Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 0.38W Polarisation: bipolar |
на замовлення 5489 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS5240T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBSS5240T,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PBSS5240T,215 | NXP Semiconductors |
|
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.00 грн |
| 6000+ | 7.28 грн |
| 9000+ | 6.62 грн |
| 15000+ | 6.12 грн |
| 21000+ | 5.48 грн |
| 30000+ | 5.13 грн |
| 75000+ | 4.91 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.00 грн |
| 6000+ | 7.28 грн |
| 9000+ | 6.62 грн |
| 15000+ | 6.12 грн |
| 21000+ | 5.48 грн |
| 30000+ | 5.13 грн |
| 75000+ | 4.91 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 744781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1862+ | 19.04 грн |
| 10000+ | 16.97 грн |
| 100000+ | 14.22 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 380mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 380mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.06 грн |
| 25+ | 16.79 грн |
| 100+ | 11.30 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| 1000+ | 8.97 грн |
| 3000+ | 8.56 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 540+ | 26.27 грн |
| 766+ | 18.52 грн |
| 1000+ | 16.54 грн |
| 2000+ | 14.76 грн |
| 3000+ | 11.05 грн |
| 6000+ | 9.15 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 480 mW
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 480 mW
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| PBSS5240T,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





